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BU2508DF中文资料

BU2508DF图片

BU2508DF外观图

  • 大小:157.28KB
  • 厂家:ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
  • 描述:isc Silicon NPN Power Transistor
  • 安装类型:通孔
  • 宽度:5.2mm
  • 封装类型:TO-247F
  • 尺寸:21.5 x 15.3 x 5.2mm
  • 引脚数目:3
  • 晶体管类型:NPN
  • 最低工作温度:-65 °C
  • 最大功率耗散:45000 mW
  • 最大发射极-基极电压:7.5 V
  • 最大基极-发射极饱和电压:1.1 V
  • 最大直流集电极电流:8 A
  • 最大集电极-发射极电压:700 V
  • 最大集电极-发射极饱和电压:1 V
  • 最小直流电流增益:4 V
  • 最高工作温度:+150 °C
  • 每片芯片元件数目:1
  • 类别:双极功率
  • 配置:单
  • 长度:15.3mm
  • 高度:21.5mm

BU2508DF供应商

更新时间:2023-01-26 15:00:09
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