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BU2508DF中文资料

BU2508DF图片

BU2508DF外观图

  • 大小：157.28KB
  • 厂家：ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
  • 描述：isc Silicon NPN Power Transistor
  • 安装类型：通孔
  • 宽度：5.2mm
  • 封装类型：TO-247F
  • 尺寸：21.5 x 15.3 x 5.2mm
  • 引脚数目：3
  • 晶体管类型：NPN
  • 最低工作温度：-65 °C
  • 最大功率耗散：45000 mW
  • 最大发射极-基极电压：7.5 V
  • 最大基极-发射极饱和电压：1.1 V
  • 最大直流集电极电流：8 A
  • 最大集电极-发射极电压：700 V
  • 最大集电极-发射极饱和电压：1 V
  • 最小直流电流增益：4 V
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：双极功率
  • 配置：单
  • 长度：15.3mm
  • 高度：21.5mm

BU2508DF供应商

更新时间:2023-01-26 15:00:09
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